型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML0100TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V263820-49￥0.432050-99￥0.4000100-299￥0.3840300-499￥0.3712500-999￥0.36161000-4999￥0.35525000-9999￥0.3488≥10000￥0.3424 -
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品类: 双极性晶体管描述: SOT-23 NPN 80V 0.5A798320-49￥0.189050-99￥0.1750100-299￥0.1680300-499￥0.1624500-999￥0.15821000-4999￥0.15545000-9999￥0.1526≥10000￥0.1498 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS126H6327XTSA2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V130820-49￥0.607550-99￥0.5625100-299￥0.5400300-499￥0.5220500-999￥0.50851000-4999￥0.49955000-9999￥0.4905≥10000￥0.4815 -
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品类: 电子元器件分类描述: INFINEON BSS139H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V89915-24￥1.404025-49￥1.300050-99￥1.2272100-499￥1.1960500-2499￥1.17522500-4999￥1.14925000-9999￥1.1388≥10000￥1.1232 -
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品类: 霍尔传感器描述: INFINEON TLE4913 霍尔效应开关, 低功率, AEC-Q100, 开关31645-24￥1.876525-49￥1.737550-99￥1.6402100-499￥1.5985500-2499￥1.57072500-4999￥1.53605000-9999￥1.5221≥10000￥1.5012 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低集电极 - 发射极饱和电压 Low collector-emitter saturation voltage164320-49￥0.351050-99￥0.3250100-299￥0.3120300-499￥0.3016500-999￥0.29381000-4999￥0.28865000-9999￥0.2834≥10000￥0.2782 -
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品类: MOS管描述: SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor693010-49￥0.783050-99￥0.7424100-299￥0.7134300-499￥0.6960500-999￥0.67861000-2499￥0.66122500-4999￥0.6351≥5000￥0.6293 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能144020-49￥0.310550-99￥0.2875100-299￥0.2760300-499￥0.2668500-999￥0.25991000-4999￥0.25535000-9999￥0.2507≥10000￥0.2461 -
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品类: 肖特基二极管描述: INFINEON BAT6404E6327HTSA1 小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单对串联, 40 V, 120 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C595820-49￥0.337550-99￥0.3125100-299￥0.3000300-499￥0.2900500-999￥0.28251000-4999￥0.27755000-9999￥0.2725≥10000￥0.2675 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS83PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V193820-49￥0.405050-99￥0.3750100-299￥0.3600300-499￥0.3480500-999￥0.33901000-4999￥0.33305000-9999￥0.3270≥10000￥0.3210 -
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品类: MOS管描述: 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3458620-49￥0.472550-99￥0.4375100-299￥0.4200300-499￥0.4060500-999￥0.39551000-4999￥0.38855000-9999￥0.3815≥10000￥0.3745 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS84PH6327XTSA2 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V746620-49￥0.229550-99￥0.2125100-299￥0.2040300-499￥0.1972500-999￥0.19211000-4999￥0.18875000-9999￥0.1853≥10000￥0.1819 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS127H6327XTSA2 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3453220-49￥0.418550-99￥0.3875100-299￥0.3720300-499￥0.3596500-999￥0.35031000-4999￥0.34415000-9999￥0.3379≥10000￥0.3317 -
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品类: 双极性晶体管描述: BCR146 系列 NPN 50 V 70 mA 表面贴装 硅 数字 晶体管 - SOT-23-3135220-49￥0.270050-99￥0.2500100-299￥0.2400300-499￥0.2320500-999￥0.22601000-4999￥0.22205000-9999￥0.2180≥10000￥0.2140 -
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品类: 双极性晶体管描述: INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE550720-49￥0.661550-99￥0.6125100-299￥0.5880300-499￥0.5684500-999￥0.55371000-4999￥0.54395000-9999￥0.5341≥10000￥0.5243 -
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品类: 双极性晶体管描述: BCW68 系列 PNP 45 V 800 mA 表面贴装 硅 AF 晶体管 - SOT-23-3170720-49￥0.310550-99￥0.2875100-299￥0.2760300-499￥0.2668500-999￥0.25991000-4999￥0.25535000-9999￥0.2507≥10000￥0.2461 -
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品类: 双极性晶体管描述: Infineon BCR512E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装372810-49￥0.810050-99￥0.7680100-299￥0.7380300-499￥0.7200500-999￥0.70201000-2499￥0.68402500-4999￥0.6570≥5000￥0.6510 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。38865-24￥1.525525-49￥1.412550-99￥1.3334100-499￥1.2995500-2499￥1.27692500-4999￥1.24875000-9999￥1.2374≥10000￥1.2204 -
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品类: TVS二极管描述: INFINEON ESD24VS2U E6327 静电保护装置, TVS AEC-Q101, 34 V, SOT-23, 3 引脚698110-49￥0.891050-99￥0.8448100-299￥0.8118300-499￥0.7920500-999￥0.77221000-2499￥0.75242500-4999￥0.7227≥5000￥0.7161 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS670S2L H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V398810-49￥0.756050-99￥0.7168100-299￥0.6888300-499￥0.6720500-999￥0.65521000-2499￥0.63842500-4999￥0.6132≥5000￥0.6076 -
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品类: 双极性晶体管描述: P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3984720-49￥0.594050-99￥0.5500100-299￥0.5280300-499￥0.5104500-999￥0.49721000-4999￥0.48845000-9999￥0.4796≥10000￥0.4708 -
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品类: 霍尔传感器描述: INFINEON TLE49462KHTSA1 霍尔效应传感器, 锁定式, 20 mA, SC-59, 3 引脚, 2.7 V, 18 V94385-24￥2.578525-49￥2.387550-99￥2.2538100-499￥2.1965500-2499￥2.15832500-4999￥2.11065000-9999￥2.0915≥10000￥2.0628 -
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品类: MOS管描述: P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。908320-49￥0.567050-99￥0.5250100-299￥0.5040300-499￥0.4872500-999￥0.47461000-4999￥0.46625000-9999￥0.4578≥10000￥0.4494 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML6401TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV543220-49￥0.405050-99￥0.3750100-299￥0.3600300-499￥0.3480500-999￥0.33901000-4999￥0.33305000-9999￥0.3270≥10000￥0.3210 -
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品类: MOS管描述: P沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3676020-49￥0.432050-99￥0.4000100-299￥0.3840300-499￥0.3712500-999￥0.36161000-4999￥0.35525000-9999￥0.3488≥10000￥0.3424 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML2502TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 4.2A, SOT-23-3, 整卷542220-49￥0.405050-99￥0.3750100-299￥0.3600300-499￥0.3480500-999￥0.33901000-4999￥0.33305000-9999￥0.3270≥10000￥0.3210 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML2246TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V136820-49￥0.472550-99￥0.4375100-299￥0.4200300-499￥0.4060500-999￥0.39551000-4999￥0.38855000-9999￥0.3815≥10000￥0.3745 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML2244TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V920720-49￥0.553550-99￥0.5125100-299￥0.4920300-499￥0.4756500-999￥0.46331000-4999￥0.45515000-9999￥0.4469≥10000￥0.4387
